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Z-半导体敏感元件原理与应用五
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广告招租,e-mail:yesize@hotmail.com 1.阈值磁场:Bth(mT ) 磁敏Z-元件置于磁场中,如图10所示。电路中产生了自激振荡,输出信号VO的波形类似于温敏Z-元件的下降沿触发的脉冲频率信号。使Z-元件刚刚起振的磁场,定义为阈值磁场,用Bth表示。 2.磁场范围:B(mT) 磁场范围,表示维持Z-元件正常振荡的磁场,其值为(1~1.5)Bth。 3.频率范围:f(Hz) Z-元件在磁场中正常的信号频率范围。 4.频率灵敏度:SF(Hz/mT) 磁敏Z-元件在磁场中产生振荡后,频率的变化量Df(Hz)与磁场变化量DB(mT)之比为频率灵敏度SF(Hz/mT): (5) 5.电压灵敏度ST(mV/mT) 磁敏Z-元件在磁场中,Vf向右平移增大,磁场越强,Vf增加的越多,见图11。电压灵敏度ST等于导通电压Vf的增量DVf与磁场变化增量DB之比。 (mV/mT) (6) 磁敏Z-元件在实验中,除上述参数用来表述在磁场中变化外,还有一种在磁场中的特性没有相应的参数可以表示。例如,在磁场中,Vf阶跃式的增大,同时Vth也增大,幅度变化为: Vf:(1~3) Vf,Vth: Vth+(0~1V), 参见图11。这一特性非常适合制作磁控开关、转速表等。 九、 磁敏Z-元件的应用电路 磁敏Z-元件是一个非线性元件[1],典型应用电路为Z-元件与一个负载电阻RL串联的电路。RL的一个作用是限制工作电流,另一个作用是可以从RL与Z-元件连接点处取出输出信号,如图12(a)所示。Z-元件允许并联一个电容器,输出脉冲频率信号。 1. 工作在M3区输出阶跃信号 磁敏Z-元件工作在哪一个区,与电源电压E的大小有关。在温敏Z-元件工作中,由M1区向M3区转换的过程中,电源电压E,负载电阻RL与Z-元件的参数Vth 、Ith,必须满足的条件-状态方程为: E= Vth +IthRL (7) 该方程仍然适用于磁敏Z-元件。 图12是输出阶跃信号的电路图,工作状态解析图和信号波形图。为了保证Z-元件工作在M3区,P(Vth,Ith)点必须设定在负载线(E,E/RL)的左侧,并应考虑温度的影响,在应用的温度范围内,能可靠地工作在M3区。 从解析图中已知道,无磁场时工作点为Q1(Vf,IZ1),输出为VO=VOL=Vf。加入300mT磁场,P1(Vth1,Ith1)移至P2(Vth2,Ith2),P2点在直线(E,E/RL)的左侧,Q2(VZ2,IZ2)点在OP2上,这时的输出为:VO=VOH=E- IZ2RL 当磁场为B=0时,VO又恢复为低电平,即VO=VOL=Vf。 2. 并联电容器M1→M3,M3→M1互相转换输出脉冲频率信号 图13是磁敏Z-元件输出脉冲频率信号电路。Z-元件在磁场中产生的自激振荡,其脉冲频率信号往往不够稳定[1]、[2],因而采用Z-元件并联电容器的方法,改善振荡的稳定性和电源电压的适应性。这个脉冲频率信号是下降沿触发的,其频率受磁场的调制,信号频率与磁场的关系参见图1 3(c)。 磁敏Z-元件的应用电路图12(a),可以把Z-元件与RL互换位置,其输出信号是关于电源电压E的互补信号,参看表4-3,其信号变化幅度的绝对值|DVO|相等,前者输出信号是由低电平上升为高电平,后者输出信号是由高电平下降为低电平。 十、 磁敏Z-元件特性与应用电路总结 (a)电路 (b)信号波形 图14 流量传感器 (a)电路 (b)信号波形 图15 报警传感器 磁敏Z-元件正向特性对磁场敏感,反向无磁敏特性。它的阈值点P(Vth,Ith)中,Vth为正磁系数,Ith有较小的负磁系数。磁敏Z-元件也有两个稳定的工作状态,即VZ≥Vth时工作在低阻M3区,当VZ<Vth时,工作在M1区。Vf为正磁系数。在磁场作用下,工作在M3区的Z-元件当VZ≤Vf时,能自动从M3区回到M1区,磁场消失后,又回到M3区。它的工作电路,我们建议为2个:一个为开关电路,另一个为(并联电容器的)脉冲频率电路。四个主要参数为Vth、Ith、Vf、If。 十一、磁敏Z-元件应用示例 1. 流量脉冲传感器 该流量传感器电路示于图14,这是一个RL与磁敏Z-元件串联的电路。Z-元件工作在M3区,电源电压E应大于(Vth +IthRL),使之在允许的工作温度范围内,能可靠地工作在M3区。 由N、S磁极构成的平行磁场固定在转盘上,当流体冲击转盘转动时,只在磁极罩在磁敏Z-元件上的一瞬间,输出端输出一个高电平VOH,磁极离去时,输出为低电平VOL。转盘上的磁 极对数根据实际需要选择,两个高电平的间隔时间tx是流量的函数,经过标定以后,可编成查表程序用低功耗单片机进行显示,并需要输出相应信号。
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